Número de Producto del Fabricante:
STP10N80K5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP10N80K5-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12879416
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ENVIAR
STP10N80K5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ K5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
635 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCP7N60
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1000
NÚMERO DE PIEZA
FCP7N60-DG
PRECIO UNITARIO
1.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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