Número de Producto del Fabricante:
STP30NM50N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP30NM50N-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 27A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12878040
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ENVIAR
STP30NM50N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2740 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP30N
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-8790-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP50R140CPXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
485
NÚMERO DE PIEZA
IPP50R140CPXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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