Número de Producto del Fabricante:
STQ2LN60K3-AP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STQ2LN60K3-AP-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
7300 Pcs Nuevos Originales En Stock
12873757
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STQ2LN60K3-AP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Box (TB)
Serie
SuperMESH3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
600mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
235 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base
STQ2LN60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
497-STQ2LN60K3-APTB
497-13391-1-DG
497-STQ2LN60K3-APCT
497-13391-3-DG
497-13391-1
497-13391-3
STQ2LN60K3AP
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STD3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STW26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
