Número de Producto del Fabricante:
STS4DNFS30L
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STS4DNFS30L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12879858
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STS4DNFS30L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
STS4D
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
497-3227-1
497-3227-2
497-3227-1-NDR
497-3227-6
497-3227-2-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STD22NM20NT4
MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
STP4NK50Z
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
STS7N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
