Número de Producto del Fabricante:
STU6N65K3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STU6N65K3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12878793
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ENVIAR
STU6N65K3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
SuperMESH3™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STU6N65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
-497-13593-5
497-13593-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPU80R1K4P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6
NÚMERO DE PIEZA
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPS65R950C6AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
150
NÚMERO DE PIEZA
IPS65R950C6AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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