Número de Producto del Fabricante:
STU9N60M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STU9N60M2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12875739
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STU9N60M2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ II Plus
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
780mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
320 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STU9N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
497-13886-5-DG
-497-13886-5
497-13886-5
497-STU9N60M2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STW42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
STW54NM65ND
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
STP22NS25Z
MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB