Número de Producto del Fabricante:
STW3N170
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW3N170-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
Inventario:
12945530
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ENVIAR
STW3N170 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW3N170
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-16332-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTH2N150L
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
176
NÚMERO DE PIEZA
IXTH2N150L-DG
PRECIO UNITARIO
8.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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