Número de Producto del Fabricante:
STW58N60DM2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW58N60DM2AG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12871979
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ENVIAR
STW58N60DM2AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW58
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-16131-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPW60R060C7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
313
NÚMERO DE PIEZA
IPW60R060C7XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
4.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTH48N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
272
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
5.48
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CANTIDAD DISPONIBLE
10
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PRECIO UNITARIO
6.25
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FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
80
NÚMERO DE PIEZA
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
7.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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