Número de Producto del Fabricante:
STW70N60DM6-4
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW70N60DM6-4-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 62A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
150 Pcs Nuevos Originales En Stock
12875956
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STW70N60DM6-4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
62A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
42mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4360 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
390W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
STW70
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-19786
-1138-STW70N60DM6-4
STW70N60DM6-4-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STP8NS25
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
STS25NH3LL
MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
STW18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
