Número de Producto del Fabricante:
STW8NB100
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW8NB100-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 7.3A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12877246
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STW8NB100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.45Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW8N
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-2646-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQH8N100C
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FQH8N100C-DG
PRECIO UNITARIO
2.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
STF12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
STL4P2UH7
MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
STD60NF06T4
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ.,