STWA67N60M6
Número de Producto del Fabricante:

STWA67N60M6

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STWA67N60M6-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 52A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Inventario:

12939199
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

STWA67N60M6 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ M6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
52A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
49mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 Long Leads
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STWA67

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
600
Otros nombres
497-STWA67N60M6

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
stmicroelectronics

SCTWA35N65G2VAG

SICFET N-CH 650V 45A TO247

stmicroelectronics

STD10N60M6

MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

stmicroelectronics

STL26N30M8

MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT

onsemi

NTNS3A65PZT5G

MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883