Número de Producto del Fabricante:
TSM2NB60CH
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM2NB60CH-DG
Descripción:
600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12998747
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ENVIAR
TSM2NB60CH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
249 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
TSM2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
15,000
Otros nombres
1801-TSM2NB60CH
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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