Número de Producto del Fabricante:

TSM4NB65CI

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM4NB65CI-DG

Descripción:

650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Descripción Detallada:

N-Channel 650 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventario:

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12998652

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TSM4NB65CI Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Taiwan Semiconductor

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

3.37Ohm @ 2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

13.46 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

549 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

ITO-220

Paquete / Caja

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Número de producto base

TSM4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Otros nombres

1801-TSM4NB65CI

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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