Número de Producto del Fabricante:

TSM600P03CS

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM600P03CS-DG

Descripción:

-30V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO

Descripción Detallada:

P-Channel 30 V 4.7A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12999409

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

TSM600P03CS Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Taiwan Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4.7A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

60mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

5.1 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

560 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.1W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOP

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

TSM600

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

5,000

Otros nombres

1801-TSM600P03CSTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

TSM260P02CX6

-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO

goford-semiconductor

G50N03D5

N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M

TSM70N380CH

700V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

TSM160N10LCR

100V, 46A, SINGLE N-CHANNEL POWE