TSM60NB1R4CP
Número de Producto del Fabricante:

TSM60NB1R4CP

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM60NB1R4CP-DG

Descripción:

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

13000963
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TSM60NB1R4CP Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM60NB1R4CPTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMP22D5UFO-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-

rohm-semi

SCT4062KEHRC11

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

diodes

DMN2310UFD-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3

panjit

PJMB130N65EC_R2_00601

650V/ 130MOHM / 29A/ EASY TO DRI