Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB1R4CP
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB1R4CP-DG
Descripción:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
13000963
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM60NB1R4CP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM60NB1R4CPTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMP22D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
DMN2310UFD-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
