Número de Producto del Fabricante:

TSM650N15CS

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM650N15CS-DG

Descripción:

150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Descripción Detallada:

N-Channel 150 V 4A (Ta), 9A (Tc) 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

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12998419

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TSM650N15CS Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Taiwan Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

150 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Ta), 9A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

65mOhm @ 4A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

37 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1783 pF @ 75 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.2W (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOP

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

TSM650

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

5,000

Otros nombres

1801-TSM650N15CSTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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