Número de Producto del Fabricante:
CSD13302WT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD13302WT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Inventario:
337 Pcs Nuevos Originales En Stock
12788598
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ENVIAR
CSD13302WT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
862 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DSBGA (1x1)
Paquete / Caja
4-UFBGA, DSBGA
Número de producto base
CSD13302
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
TEXTISCSD13302WT
2156-CSD13302WT
296-CSD13302WTCT
CSD13302WT-DG
296-CSD13302WTTR
296-CSD13302WTDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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