Número de Producto del Fabricante:
CSD16321Q5T
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD16321Q5T-DG
Descripción:
25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventario:
530 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974893
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ENVIAR
CSD16321Q5T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3V, 8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3100 pF @ 12.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
CSD16321
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
296-CSD16321Q5TCT
296-CSD16321Q5TDKR
296-CSD16321Q5TTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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