Número de Producto del Fabricante:
CSD16570Q5BT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD16570Q5BT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Inventario:
25968 Pcs Nuevos Originales En Stock
12815343
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ENVIAR
CSD16570Q5BT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14000 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
CSD16570
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
296-38335-6
296-38335-2
296-38335-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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