Número de Producto del Fabricante:
CSD17579Q3AT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD17579Q3AT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
Inventario:
5016 Pcs Nuevos Originales En Stock
12789878
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD17579Q3AT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
998 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.2W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSONP (3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
CSD17579
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
TEXTISCSD17579Q3AT
296-38463-6
2156-CSD17579Q3AT
296-38463-1
296-38463-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CMPDM7002AHC TR PBFREE
MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
CTLDM7590 TR
MOSFET P-CH 20V 140MA TLM3D6D8
CSD17312Q5
MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
