CSD18536KCS
Número de Producto del Fabricante:

CSD18536KCS

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

Número de pieza:

CSD18536KCS-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

122 Pcs Nuevos Originales En Stock
12814958
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CSD18536KCS Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tube
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11430 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
CSD18536

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Página del producto del fabricante

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
CSD18536KCS-DG
TEXTISCSD18536KCS
296-47185
2156-CSD18536KCS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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