CSD18536KTT
Número de Producto del Fabricante:

CSD18536KTT

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

Número de pieza:

CSD18536KTT-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

Inventario:

1297 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795091
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

CSD18536KTT Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11430 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (DDPAK-3)
Paquete / Caja
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número de producto base
CSD18536

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Página del producto del fabricante

Información Adicional

Paquete Estándar
500
Otros nombres
CSD18536KTT-DG
296-44967-6
296-44967-1
296-44967-2

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
texas-instruments

CSD17556Q5B

MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON

texas-instruments

CSD17527Q5A

MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON

texas-instruments

CSD23381F4

MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD16322Q5

MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON