Número de Producto del Fabricante:
CSD18563Q5A-P
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD18563Q5A-P-DG
Descripción:
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 93A (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Inventario:
12996133
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD18563Q5A-P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
-
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Ta), 93A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.2W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSON (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
CSD18563
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
296-CSD18563Q5A-PTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
AOK065V65X2
MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
PSMN4R8-100YSEX
PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
