Número de Producto del Fabricante:
CSD19536KTTT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD19536KTTT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventario:
947 Pcs Nuevos Originales En Stock
12788555
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ENVIAR
CSD19536KTTT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (DDPAK-3)
Paquete / Caja
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número de producto base
CSD19536
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
296-41136-6
296-41136-1
296-41136-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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