Número de Producto del Fabricante:
CSD23202W10
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD23202W10-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Inventario:
14404 Pcs Nuevos Originales En Stock
13036083
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD23202W10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
53mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
512 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DSBGA (1x1)
Paquete / Caja
4-UFBGA, DSBGA
Número de producto base
CSD23202
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
CSD23202W10-ND
296-40000-2
296-40000-1
-296-40000-1-ND
296-40000-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD16327Q3
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
CSD18537NQ5AT
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
