Número de Producto del Fabricante:
CSD25304W1015
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD25304W1015-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816838
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ENVIAR
CSD25304W1015 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.15V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
595 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja
6-UFBGA, DSBGA
Número de producto base
CSD25304
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
-296-40005-1-DG
296-40005-2
296-40005-6
CSD25304W1015-DG
296-40005-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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