Número de Producto del Fabricante:
2SC3326-B,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SC3326-B,LF-DG
Descripción:
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 300 mA 30MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Inventario:
199780 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889574
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ENVIAR
2SC3326-B,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
300 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
20 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
350 @ 4mA, 2V
Potencia - Máx.
150 mW
Frecuencia - Transición
30MHz
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236
Número de producto base
2SC3326
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2SC3326BTE85LFTR
2SC3326-B,LF(B
2SC3326-B(TE85L,F)
2SC3326BTE85LFTR-DG
2SC3326-BLFCT
2SC3326BTE85LFCT-DG
2SC3326BTE85LFCT
2SC3326-B (TE85L,F)
2SC3326BTE85LF
2SC3326-B,LF(T
2SC3326-BLFDKR
2SC3326BTE85LFDKR
2SC3326-BLFTR
2SC3326BTE85LFDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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