Número de Producto del Fabricante:
2SC4793(F,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SC4793(F,M)-DG
Descripción:
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12890001
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ENVIAR
2SC4793(F,M) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
230 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potencia - Máx.
2 W
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
2SC4793
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2SC4793(F,M)-DG
2SC4793(Q)
2SC4793-NDR
2SC4793F,M-DG
2SC4793FM
2SC4793Q
2SC4793Q-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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