Número de Producto del Fabricante:
2SD2206(TE6,F,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SD2206(TE6,F,M)-DG
Descripción:
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventario:
12891282
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ENVIAR
2SD2206(TE6,F,M) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
10µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 1A, 2V
Potencia - Máx.
900 mW
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92MOD
Número de producto base
2SD2206
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SD2206TE6FM
2SD2206(TE6FM)
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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