Número de Producto del Fabricante:
2SD2257,Q(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SD2257,Q(J-DG
Descripción:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12889335
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SD2257,Q(J Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
3 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Corriente - Corte del colector (máx.)
10µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 2A, 2V
Potencia - Máx.
2 W
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
2SD2257
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SD2257Q(J
2SD2257QJ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SA1162-GR,LF
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
2SC4881(CANO,F,M)
TRANS NPN 50V 5A TO220NIS
BC856BL3-TP
TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3
