Número de Producto del Fabricante:
2SJ360(F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SJ360(F)-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Inventario:
12889634
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SJ360(F) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
730mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
155 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PW-MINI
Paquete / Caja
TO-243AA
Número de producto base
2SJ360
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK18E10K3,S1X(S
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
TK5A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS