Número de Producto del Fabricante:
2SK2866(F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SK2866(F)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12891383
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ENVIAR
2SK2866(F) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2040 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
2SK2866
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB9N60APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2220
NÚMERO DE PIEZA
IRFB9N60APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.46
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0
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5
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PRECIO UNITARIO
1.10
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