Número de Producto del Fabricante:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG
Descripción:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
12891097
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ENVIAR
HN1B01FU-Y(L,F,T) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN, PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
150mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
200mW
Frecuencia - Transición
120MHz
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
US6
Número de producto base
HN1B01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
UMZ1NTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
109445
NÚMERO DE PIEZA
UMZ1NTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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