Número de Producto del Fabricante:
HN1B04FE-GR,LXHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN1B04FE-GR,LXHF-DG
Descripción:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventario:
2353 Pcs Nuevos Originales En Stock
12966961
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ENVIAR
HN1B04FE-GR,LXHF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
-
Corriente - Colector (Ic) (Max)
150mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
100mW
Frecuencia - Transición
80MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
HN1B04
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
264-HN1B04FE-GRLXHFTR
264-HN1B04FE-GR,LXHFCT
264-HN1B04FE-GRLXHFCT
264-HN1B04FE-GRLXHFDKR
264-HN1B04FE-GR,LXHFTR
264-HN1B04FE-GR,LXHFTR-DG
264-HN1B04FE-GR,LXHFCT-DG
264-HN1B04FE-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B04FE-GR,LXHFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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