Número de Producto del Fabricante:
HN1C01FYTE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN1C01FYTE85LF-DG
Descripción:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventario:
12889413
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ENVIAR
HN1C01FYTE85LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
150mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
300mW
Frecuencia - Transición
80MHz
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivos del proveedor
SM6
Número de producto base
HN1C01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN1C01FYTE85LFTR
HN1C01F-Y (TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFCT
HN1C01F-Y(TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IMX1T110
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
30361
NÚMERO DE PIEZA
IMX1T110-DG
PRECIO UNITARIO
0.06
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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