Número de Producto del Fabricante:
MT3S111TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
MT3S111TU,LF-DG
Descripción:
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Descripción Detallada:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889337
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ENVIAR
MT3S111TU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
6V
Frecuencia - Transición
10GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Ganar
12.5dB
Potencia - Máx.
800mW
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 30mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
UFM
Número de producto base
MT3S111
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
MT3S111TULFDKR
MT3S111TU,LF(T
MT3S111TU,LF(B
MT3S111TULFCT
MT3S111TULFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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