Número de Producto del Fabricante:
RN1109MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1109MFV,L3F-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventario:
12891145
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ENVIAR
RN1109MFV,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
47 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
22 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Potencia - Máx.
150 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-723
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Número de producto base
RN1109
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RN1109MFV,L3F(B
RN1109MFVL3F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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