RN1132MFV,L3F
Número de Producto del Fabricante:

RN1132MFV,L3F

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

RN1132MFV,L3F-DG

Descripción:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventario:

8000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889521
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

RN1132MFV,L3F Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
200 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Potencia - Máx.
150 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-723
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Número de producto base
RN1132

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RN1132MFVL3F-DG
264-RN1132MFV,L3FTR
RN1132MFVL3F
264-RN1132MFV,L3FDKR
264-RN1132MFV,L3FCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1304,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1106ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1303,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2109,LF(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM