Número de Producto del Fabricante:
RN1401,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1401,LF-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventario:
16981 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891767
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ENVIAR
RN1401,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
4.7 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250 MHz
Potencia - Máx.
200 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Número de producto base
RN1401
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RN1401LFDKR
RN1401,LF(T
ASRN1401,LF
RN1401LFTR
RN1401SLFTR-DG
RN1401SLFDKR-DG
RN1401SLFCT-DG
RN1401SLFCT
RN1401S,LF
RN1401,LF(B
RN1401LFCT
RN1401SLFDKR
RN1401SLF
RN1401SLFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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