Número de Producto del Fabricante:
RN1710,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1710,LF-DG
Descripción:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventario:
2535 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890364
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ENVIAR
RN1710,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
4.7kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
200mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paquete de dispositivos del proveedor
USV
Número de producto base
RN1710
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RN1710LFDKR
RN1710LFCT
RN1710,LF(B
RN1710LFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
UMG3NTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
6000
NÚMERO DE PIEZA
UMG3NTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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