Número de Producto del Fabricante:
RN2412,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN2412,LF-DG
Descripción:
PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventario:
13240547
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ENVIAR
RN2412,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
22 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
200 MHz
Potencia - Máx.
200 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-RN2412,LFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Certificación DIGI
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