RN2911FE(TE85L,F)
Número de Producto del Fabricante:

RN2911FE(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

RN2911FE(TE85L,F)-DG

Descripción:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventario:

3975 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889418
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ENVIAR

RN2911FE(TE85L,F) Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
200MHz
Potencia - Máx.
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
RN2911

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
RN2911FE(TE85LF)CT
RN2911FE(TE85LF)TR
RN2911FE(TE85LF)DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
NSBA114TDXV6T1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
NSBA114TDXV6T1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
DDA114TH-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
5848
NÚMERO DE PIEZA
DDA114TH-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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