Número de Producto del Fabricante:
SSM10N954L,EFF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM10N954L,EFF-DG
Descripción:
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 13.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TCSPAC-153001
Inventario:
10000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974372
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ENVIAR
SSM10N954L,EFF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.75mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 1.11mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TCSPAC-153001
Paquete / Caja
10-SMD, No Lead
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
264-SSM10N954L,EFFCT-DG
264-SSM10N954L,EFFDKR-DG
264-SSM10N954L,EFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR
264-SSM10N954LEFFTR
264-SSM10N954LEFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR-DG
264-SSM10N954LEFFDKR
SSM10N954L,EFF(S
264-SSM10N954L,EFFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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