Número de Producto del Fabricante:
SSM3J112TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J112TU,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventario:
748 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889990
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ENVIAR
SSM3J112TU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
390mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 100µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
86 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFM
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM3J112
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM3J112TU,LFCT
SSM3J112TULF-DG
264-SSM3J112TU,LFTR
SSM3J112TULF
264-SSM3J112TU,LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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