Número de Producto del Fabricante:
SSM3J352F,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J352F,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventario:
5843 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891504
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Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
fYV4
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ENVIAR
SSM3J352F,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
210 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SSM3J352
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J352FLFDKR
SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFCT
SSM3J352FLF
SSM3J352FLFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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