Número de Producto del Fabricante:
SSM3J353F,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J353F,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventario:
20293 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890426
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ENVIAR
SSM3J353F,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
159 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SSM3J353
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J353FLFTR
SSM3J353F,LF(T
SSM3J353FLFDKR
SSM3J353FLFCT
SSM3J353F,LF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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