Número de Producto del Fabricante:
SSM3J35AFS,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J35AFS,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM
Inventario:
20404 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890403
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3J35AFS,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 100µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SSM
Paquete / Caja
SC-75, SOT-416
Número de producto base
SSM3J35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J35AFSLF
SSM3J35AFSLF(B
SSM3J35AFSLFCT
SSM3J35AFSLFTR
SSM3J35AFSLFDKR
SSM3J35AFS,LF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
TK5P53D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
SSM3J140TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM