Número de Producto del Fabricante:
SSM3J374R,LXHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J374R,LXHF-DG
Descripción:
SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventario:
8799 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964229
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ENVIAR
SSM3J374R,LXHF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
71mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23F
Paquete / Caja
SOT-23-3 Flat Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM3J374RLXHFTR
264-SSM3J374RLXHFDKR
264-SSM3J374RLXHFCT
SSM3J374R,LXHF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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