Número de Producto del Fabricante:
SSM3J375F,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J375F,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventario:
23154 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949648
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3J375F,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SSM3J375
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J375FLFDKR
SSM3J375FLFTR
SSM3J375F,LF(B
SSM3J375FLFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMJ65H650SCTI
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
ZXMN3A02X8TA
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
