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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SSM3J66MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J66MFV,L3F-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventario:
6318 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889181
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ENVIAR
SSM3J66MFV,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Paquete / Caja
SOT-723
Número de producto base
SSM3J66
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SSM3J66MFV Datasheet
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SSM3J66MFV,L3XHF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
14411
NÚMERO DE PIEZA
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
PRECIO UNITARIO
0.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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